Le fait que les technologies cellulaires présentant les rendements les plus élevés dans la production industrielle sont basées sur une plaquette Cz-Si de type N est une démonstration frappante de la raison pour laquelle les plaquettes de type n sont le matériau le plus approprié pour les cellules solaires à haut rendement. En entrant plus dans les détails, il y a quelques raisons physiques à la supériorité du type N par rapport au type P, les plus importantes sont:
en raison de l’absence de bore, il n’y a pas de dégradation induite par la lumière (LID) se produisant dans les plaquettes de Si de type p, en raison de complexes bore-oxygène
comme le type N Si est moins sensible aux impuretés métalliques proéminentes, en général, les longueurs de diffusion des porteurs minoritaires dans le type n Cz-Si sont significativement plus élevées par rapport au type p Cz-Si
L’A de type Si est moins sujet à la dégradation lors de processus à haute température tels que la diffusion B.
1 Propriétés des matériaux
propriété | spécification | Méthode d’inspection |
Méthode de croissance | Cz | |
cristallinité | Monocristallin | Techniques de gravure préférentielles（ASTM F47-88） |
Type de conductivité | Type N | Napson EC-80TPN |
Dopant | phosphore | - |
Concentration en oxygène[Oi] | ≦8E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Concentration en carbone[Cs] | ≦5E+16 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Densité de la fosse de gravure (densité de dislocation) | ≦500 cm-3 | Techniques de gravure préférentielles（ASTM F47-88） |
Orientation de la surface | <100>±3° | Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987) |
Orientation des côtés pseudo carrés | <010>,<001>±3° | Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987) |
2 Propriétés électriques
propriété | spécification | Méthode d’inspection |
résistivité | 0,2-2,0 Ω.cm 0,5 à 3,5 Ω.cm 1,0-7,0 Ω,cm 1,5 à 12 Ω,cm Autre résistivité | Système d’inspection de plaquettes |
MCLT (durée de vie des transporteurs minoritaires) | ≧1000μs(Résistivité > 1Ωcm) | Sinton transitoire |
3 géométrie
propriété | spécification | Méthode d’inspection |
géométrie | Pseudo carré | |
Forme du bord biseau | Rond | |
Taille de la plaquette (Longueur latérale*longueur latérale * diamètre | M0 : 156*156*φ210 mm M1 : 156,75*156,75*φ205 mm M2 : 156,75*156,75*φ210 mm | Système d’inspection de plaquettes |
Angle entre les côtés adjacents | 90±3° | Système d’inspection de plaquettes |
étiquette à chaud: N Type 156.75mm Plaquette solaire monocristalline, Chine, fournisseurs, fabricants, usine, fabriqué en Chine
