Plaquette solaire monocristalline carrée de type P

Plaquette solaire monocristalline carrée de type P

Une méthodologie consiste à suivre la voie consistant à augmenter la largeur à travers la plaquette monocristalline de 125 mm à 156 mm et à augmenter la taille du module, telle qu'une plaquette monocristalline pseudo-carrée de 158,75 mm ou une plaquette monocristalline carrée complète (diamètre de la plaquette 223 mm). La plaquette monocristalline carrée de 158,75 mm (diamètre de la plaquette 223 mm) augmente la surface de la plaquette d'environ 3,1% par rapport au format M2, ce qui augmente la puissance d'un module à 60 cellules de près de 10 Wc.
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Description
Paramètres techniques


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


Une méthodologie consiste à suivre la voie consistant à augmenter la largeur à travers la plaquette monocristalline de 125 mm à 156 mm, et à augmenter la taille du module, comme un pseudo-carré de 158,75 mmmonocristallinplaquette ou carré pleinmonocristallinplaquette (diamètre de plaquette 223mm). le158,75 mmcarré pleinmonocristallinplaquette (diamètre de la plaquette 223mm) augmente la surface de la plaquette d'environ 3,1% par rapport au format M2, ce qui augmente la puissance d'un module à 60 cellules de près de 10Wc.


1 Propriétés matérielles

Propriété

spécification

méthode d'inspection

Méthode de croissance

CZ


Cristallinité

Monocristallin

Techniques de gravure préférentielleASTM F47-88

Type de conductivité

type P

Napson EC-80TPN

P/N

dopant

Bore, Gallium

-

Concentration en oxygène[Oi]

≦8E+17 à/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentration de carbone[Cs]

5E+16 à/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densité de fosse de gravure (densité de dislocation)

500cm-3

Techniques de gravure préférentielleASTM F47-88

Orientation de la surface

& lt;100>±3°

Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987)

Orientation des côtés pseudo carrés

& lt;010>,<001>±3°

Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987)

2 Propriétés électriques

Propriété

spécification

méthode d'inspection

Résistivité

0,5-1,5 cm

Système d'inspection de plaquettes

MCLT (durée de vie du porteur minoritaire)

50 μs

Sinton BCT-400

(avec niveau d'injection : 1E15 cm-3)

3Géométrie



Propriété

spécification

méthode d'inspection

Géométrie

Carré plein


Longueur du côté de la plaquette

158,75 ± 0,25 mm

système d'inspection de plaquettes

Diamètre de la plaquette

223 ± 0,25 mm

système d'inspection de plaquettes

Angle entre les côtés adjacents

90° ± 0.2°

système d'inspection de plaquettes

Épaisseur

18020/10 µm;

17020/10 µm

système d'inspection de plaquettes

TTV (variation d'épaisseur totale)

27 µm

système d'inspection de plaquettes



image

4 Propriétés de surface

Propriété

spécification

méthode d'inspection

Méthode de coupe

DW

--

Qualité de surface

tel que coupé et nettoyé, aucune contamination visible, (huile ou graisse, empreintes digitales, taches de savon, taches de boue, taches d'époxy/colle ne sont pas autorisées)

système d'inspection de plaquettes

Marques de scie / marches

≤ 15µm

système d'inspection de plaquettes

Arc

≤ 40 µm

système d'inspection de plaquettes

Chaîne

≤ 40 µm

système d'inspection de plaquettes

Ébrécher

profondeur ≤0.3mm et longueur ≤ 0.5mm Max 2/pcs; pas de puce anti-violence

Système d'inspection des yeux nus ou des plaquettes

Micro fissures / trous

Interdit

système d'inspection de plaquettes




étiquette à chaud: Plaquette solaire monocristalline carrée de type p, Chine, fournisseurs, fabricants, usine, fabriquée en Chine

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