(1) Tranchage: utilisation de la coupe multiligne, la tige de silicium coupée en une plaquette carrée.
(2) Nettoyage: L'utilisation de la méthode conventionnelle de nettoyage de la plaquette, puis l'utilisation d'une solution acide (ou alcaline) coupera la surface de la couche endommagée de la plaquette pour éliminer 30 à 50%.
(3) Préparation de la surface du velours: l’utilisation d’une solution alcaline pour la corrosion anisotrope de la tranche de silicium sur la surface de la tranche afin de préparer la surface du velours.
(4) Diffusion du phosphore: en utilisant une source de revêtement (ou une source liquide, ou une source de paillettes de phosphate d’azote solide) pour la diffusion, faite d’un nœud pn +, nouer profondément pour 0,3-0,5 um en général.
(5) Gravure périphérique: couche de diffusion formée à la surface de la tranche de silicium, elle peut court-circuiter les électrodes supérieure et inférieure de la batterie et retirer la couche de diffusion périphérique en masquant la gravure humide ou la gravure sèche au plasma.
(6) Retirez le nœud pn + arrière. Méthode de gravure humide ou à la plaque abrasive commune pour éliminer le nœud pn + arrière.
(7) production d'électrodes supérieures et inférieures: procédé d'évaporation sous vide, de nickelage autocatalytique ou d'impression et de frittage de pâte d'aluminium. Fabriquez d'abord l'électrode inférieure, puis l'électrode supérieure. L'impression en pâte d'aluminium correspond à un grand nombre de méthodes de traitement utilisées.
(8) Production de film antireflet: afin de réduire la perte de réflexion, la surface de la tranche de silicium recouvrant une couche de film antireflet. Les matériaux pour la fabrication de films antireflet sont MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, TA2O5, etc.
Le procédé peut être utilisé pour le revêtement sous vide, le placage ionique, la pulvérisation cathodique, l’impression, le pecvd ou la pulvérisation.
(9) Frittage: frittage de la puce de la batterie sur la plaque de base en nickel ou en cuivre.
(10) Fichiers de test: Selon les spécifications des paramètres, classification de test.
