【Présentation du produit】 | |
Cellule | Cellule solaire mono haute efficacité 156,75 mm x 31,2 mm |
Nombre de cellules | 340(34×10) |
Puissance maximale nominale (Pmax) | 335W |
Boîte de dérivation | IP67 |
Tension maximale du système | 1000V/1500V CC (CEI) |
Température de fonctionnement | -40℃~+85℃ |
Dimensions | 1623 mm × 1048 mm × 35 mm |
Poids | 18.5kg±3% |
【Description du produit】
En bardant les cellules solaires, l'espace entre les cellules est réduit, permettant à plus de cellules d'être disposées sur chaque panneau. Ainsi, près de 100 % du panneau est recouvert de cellules solaires.
Le nouveau module solaire en bardeaux de conception augmente l'efficacité et la fiabilité, tout en réduisant le coût du BOS, offrant une solution élégante qui améliore à la fois l'efficacité et l'esthétique.
La flexibilité de l'interconnexion adhésive de la nouvelle conception permet de réduire les contraintes thermiques lors des tests de cyclage de température. Aucun ruban requis ne réduit le potentiel de microfissures.
5 à 10 % de puissance de module en plus est un gain pour les modules solaires de nouvelle conception qui est le résultat de l'application de pâte conductrice qui permet de nouvelles technologies d'interconnexion.
1 CARACTÉRISTIQUES CLÉS

2 SCHÉMAS MÉCANIQUES

3 PARAMETRES ELECTRIQUES au STC
Puissance maximale nominale (Pmax) [W] | 320 | 325 | 330 | 335 |
Tension en circuit ouvert (Voc) [V] | 44.46 | 44.71 | 44.91 | 45.16 |
Tension d'alimentation maximale (Vmp) [V] | 36.41 | 36.61 | 36.80 | 37.06 |
Courant de court-circuit (Isc) [A] | 9.22 | 9.30 | 9.40 | 9.48 |
Courant de puissance maximum (Imp) [A] | 8.80 | 8.87 | 8.96 | 9.04 |
Efficacité du module [%] | 18.81 | 19.11 | 19.40 | 19.70 |
Tolérance de puissance | 0~+5W | |||
Coefficient de température de Isc(α_Isc) | 0.05%/℃ | |||
Coefficient de température de Voc(β_Voc) | -0.275%/℃ | |||
Coefficient de température de Pmax(γ_Pmp) | -0.368%/℃ | |||
STC | Irradiance 1000W/m², température de cellule 25℃, AM1.5G | |||
Le silicium monocristallin a un réseau cristallin de diamant, le cristal est dur et cassant, a un éclat métallique, peut conduire l'électricité, mais la conductivité est inférieure à celle du métal et augmente avec l'augmentation de la température, a la propriété semi-conductrice. Le silicium monocristallin est un matériau semi-conducteur important. L'incorporation d'oligo-éléments du groupe IIIA dans du silicium monocristallin peut former un semi-conducteur de type p, et l'incorporation d'oligo-éléments du groupe VA peut former ensemble un semi-conducteur de type n, de type n et de type p, qui peut être transformé en cellule solaire et tourner énergie rayonnante en énergie électrique.
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