Plaquette solaire monocristalline de type N 158,75 mm

Plaquette solaire monocristalline de type N 158,75 mm

Pour les plaquettes mono-Si, le carré complet de 158,75 mm deviendra le design le plus adopté d'ici le second semestre. Seuls quelques fabricants utilisent des plaquettes plus grandes que cela. LG et Hanwha Q Cells, par exemple, utilisent des plaquettes M4 (161,7 mm), tandis que Longi fait la promotion des plaquettes de 166 mm. mesure. Les plaquettes sont toujours entièrement carrées afin qu'elles s'adaptent de manière optimale au module PV.
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Description
Paramètres techniques

CZ silicon crystal growth


158.75mm full square monocrystalline solar wafer


Pour les plaquettes mono-Si, le carré complet de 158,75 mm deviendra le design le plus adopté d'ici le second semestre. Seuls quelques fabricants utilisent des plaquettes plus grandes que cela. LG et Hanwha Q Cells, par exemple, utilisent des plaquettes M4 (161,7 mm), tandis que Longi fait la promotion des plaquettes 166 mm.

Les plaquettes mono carrées à la pointe de la technologie ont maximisé l'exposition à la lumière au même niveau de plaquettes multiples en élargissant la mesure carrée. Les plaquettes sont toujours entièrement carrées afin qu'elles s'adaptent de manière optimale au module PV.

1 Propriétés matérielles

Propriété

spécification

méthode d'inspection

Méthode de croissance

CZ


Cristallinité

Monocristallin

Techniques de gravure préférentielleASTM F47-88

Type de conductivité

type N

Napson EC-80TPN

dopant

Phosphore

-

Concentration en oxygène[Oi]

8E+17 à/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentration de carbone[Cs]

5E+16 à/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densité de fosse de gravure (densité de dislocation)

500cm-3

Techniques de gravure préférentielleASTM F47-88

Orientation de la surface

& lt;100>±3°

Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987)

Orientation des côtés pseudo carrés

& lt;010>,<001>±3°

Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987)

2 Propriétés électriques

Propriété

spécification

méthode d'inspection

Résistivité

0,3-2,1 .cm

1,0-7,0 .cm

Système d'inspection de plaquettes

MCLT (durée de vie du porteur minoritaire)

1000 s(Résistivité0.3-2.1 Ω.cm)
≧500 μs(Résistivité1,0-7,0 Ω.cm)

Transitoire de Sinton

3 Géométrie


Propriété

spécification

méthode d'inspection

Géométrie

Carré plein


Longueur du côté de la plaquette

158,75 ± 0,25 mm

système d'inspection de plaquettes

Diamètre de la plaquette

223 ± 0,25 mm

système d'inspection de plaquettes

Angle entre les côtés adjacents

90° ± 0.2°

système d'inspection de plaquettes

Épaisseur

180 20/10 µm;

17020/10 µm

système d'inspection de plaquettes

TTV (variation d'épaisseur totale)

27 µm

système d'inspection de plaquettes



image



4 Propriétés de surface


Propriété

spécification

méthode d'inspection

Méthode de coupe

DW

--

Qualité de surface

tel que coupé et nettoyé, aucune contamination visible, (huile ou graisse, empreintes digitales, taches de savon, taches de boue, taches d'époxy/colle ne sont pas autorisées)

système d'inspection de plaquettes

Marques de scie / marches

≤ 15µm

système d'inspection de plaquettes

Arc

≤ 40 µm

système d'inspection de plaquettes

Chaîne

≤ 40 µm

système d'inspection de plaquettes

Ébrécher

profondeur ≤0.3mm et longueur ≤ 0.5mm Max 2/pcs; pas de puce anti-violence

Système d'inspection des yeux nus ou des plaquettes

Micro fissures / trous

Interdit

système d'inspection de plaquettes




étiquette à chaud: Plaquette solaire monocristalline de type n 158,75 mm, Chine, fournisseurs, fabricants, usine, fabriquée en Chine

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