Gaufrette solaire polycristalline de type noir de la surface P de silicium comprenant 166mm*166mm

Gaufrette solaire polycristalline de type noir de la surface P de silicium comprenant 166mm*166mm
Présentation du produit:
La gravure chimique assistée par métal (MACE) est une méthode de gravure humide anisotrope récemment développée qui est capable de produire des nanostructures semi-conductrices à rapport d'aspect élevé à partir d'un film métallique à motifs.
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Description
Paramètres techniques

P type black silicon wafer 7


P type black silicon wafer in cascade 3


La gravure chimique assistée par métal (MACE) est une méthode de gravure humide anisotrope récemment développée qui est capable de produire des nanostructures semi-conductrices à rapport d'aspect élevé à partir d'un film métallique à motifs.

Dans un modèle bien accepté décrivant le processus MACE, leoxydantest préférable d'être réduit à la surface decatalyseur métallique, et les trous (h+) sont injectés du catalyseur métallique au Si ou les électrons (e-) sont transférés du Si au catalyseur métallique. Si sous le catalyseur métallique a le maximumconcentration de trous, Par conséquent, laoxydationet la dissolution de Si se produit préférentiellement sous le catalyseur métallique.

On constate que l'efficacité de conversion de l'énergie solaire est augmentée lorsque les SiNW avecRapport d'aspect élevésont employés dans la surface de l'irradiation lumineuse de slar.

1 État de surface

Paramètre

Traiter

Réflectance

Face avant

État de surface

Métal Gravure chimique assistée

Faible

Face arrière

État de surface

Poli ou texturé

Haut ou bas

2 Propriétés matérielles

Propriété

spécification

méthode d'inspection

Méthode de croissance

solidification directionnelle

XRD

Cristallinité

polycristallin

Techniques de gravure préférentielleASTM F47-88

Type de conductivité

type P

Napson EC-80TPN

P/N

dopant

Bore

-

Concentration en oxygène[Oi]

1E+17 à/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentration de carbone[Cs]

1E+18 à/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

3 Propriétés électriques

Propriété

spécification

méthode d'inspection

Résistivité

0,5-2 cm (après recuit)

Système d'inspection de plaquettes

MCLT (durée de vie du porteur minoritaire)

2 μs

Sinton QSSPC

4 Géométrie

Propriété

spécification

méthode d'inspection

Géométrie

Carré ou rectangle

Système d'inspection de plaquettes

Forme de bord biseauté

Ligne

Système d'inspection de plaquettes

Taille de la plaquette

(Longueur du côté * longueur du côté)

156mm * 156mm

157mm * 186mm

166mm * 166mm

Système d'inspection de plaquettes

Angle entre les côtés adjacents

90±3°

Système d'inspection de plaquettes


 

étiquette à chaud: plaquette solaire polycristalline de type p de surface de silicium noir comprenant 166 mm * 166 mm, Chine, fournisseurs, fabricants, usine, fabriquée en Chine

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