Plaquette solaire monocristalline de type P M10

Méthode de croissance

CZ

Cristallinité

Monocristallin

Techniques de gravure préférentielle（ASTM F47-88）

Type de conductivité

type P

Napson EC-80TPN

P/N

dopant

Bore, Gallium

-

Concentration en oxygène[Oi]

≦8E+17 à/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Concentration de carbone[Cs]

≦5E+16 à/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Densité de fosse de gravure (densité de dislocation)

≦500cm^-3

Techniques de gravure préférentielle（ASTM F47-88）

Orientation de la surface

& lt;100>±3°

Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987)

Orientation des côtés pseudo carrés

& lt;010>,<001>±3°

Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987)

Résistivité

0,5-1,5 cm

Système d'inspection de plaquettes

MCLT (durée de vie du porteur minoritaire)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(avec niveau d'injection : 1E15 cm^-3)

Géométrie

Carré plein

Longueur du côté de la plaquette

182 ± 0,25 mm

système d'inspection de plaquettes

Diamètre de la plaquette

φ247 ± 0,25 mm

système d'inspection de plaquettes

Angle entre les côtés adjacents

90° ± 0.2°

système d'inspection de plaquettes

Épaisseur

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (variation d'épaisseur totale)

≤27 µm

système d'inspection de plaquettes

Méthode de coupe

DW

--

Qualité de surface

tel que coupé et nettoyé, aucune contamination visible, (huile ou graisse, empreintes digitales, taches de savon, taches de boue, taches d'époxy/colle ne sont pas autorisées)

système d'inspection de plaquettes

Marques de scie / marches

≤ 15µm

système d'inspection de plaquettes

Arc

≤ 40 µm

système d'inspection de plaquettes

Chaîne

≤ 40 µm

système d'inspection de plaquettes

Ébrécher

profondeur ≤0.3mm et longueur ≤ 0.5mm Max 2/pcs; pas de puce anti-violence

Système d'inspection des yeux nus ou des plaquettes

Micro fissures / trous

Interdit

système d'inspection de plaquettes