Présentation des produits
Les substrats SiC de type N- sont conçus pour la croissance homoépitaxiale dans la fabrication avancée de semi-conducteurs de puissance. Avec des performances électriques et thermiques supérieures, cette haute-performanceSubstrat SiCconvient aux applications à haute-puissance dans les véhicules électriques, les systèmes photovoltaïques, l'énergie éolienne et d'autres nouvelles technologies énergétiques.
La gamme de produits comprend des modèles de 6 et 8 poucesplaquettes SiCpour la production en volume et l'approvisionnement mondial, avec une capacité de production de substrats de 12- pouces disponible pour les applications de semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération.
Caractéristiques
| 6 pouces | |
|---|---|
| Diamètre | 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Orientation des surfaces | 4 degrés vers<1120>±0,5 degré |
| Longueur à plat primaire | 47,5 mm ±1,5 mm |
| Orientation plate principale | <1120>±1,0 degré |
| Orientation de l'encoche | / |
| Angle d'encoche | / |
| Profondeur d'encoche | / |
| Appartement Secondaire | N/A |
| Épaisseur | 350,0 um ± 25,0 um |
| Polytype | 4H |
| Taper | n-type |
| 8 pouces | |
|---|---|
| Diamètre | 200,0 mm+0 mm/-0,5 mm |
| Orientation des surfaces | 4 degrés vers<1120>±0,5 degré |
| Longueur à plat primaire | Entailler |
| Orientation plate principale | / |
| Orientation de l'encoche | <1100>±1,0 degré |
| Angle d'encoche | 90 degrés +5 degrés /-1 degrés |
| Profondeur d'encoche | 1,0 mm+0.25 mm/-0 mm |
| Appartement Secondaire | N/A |
| Épaisseur | 500,0 um ± 25,0 um |
| Polytype | 4H |
| Taper | n-type |
| 12 pouces | |
|---|---|
| Diamètre | 300,0 mm+0 mm/-0,5 mm |
| Orientation des surfaces | 4 degrés vers<1120>±0,5 degré |
| Longueur à plat primaire | Entailler |
| Orientation plate principale | / |
| Orientation de l'encoche | <1100>±5,0 degrés |
| Angle d'encoche | 90 degrés +5 degrés /-1 degrés |
| Profondeur d'encoche | 1,0 mm+0.25 mm/-0 mm |
| Appartement Secondaire | N/A |
| Épaisseur | 750,0 um ± 25,0 um |
| Polytype | 4H |
| Taper | n-type |
Certificat
étiquette à chaud: Substrat sic de type 4h n-, Chine, fournisseurs, fabricants, usine, fabriqué en Chine
