Spécification de plaquette de silicium monocristalline de type N12

Spécification de plaquette de silicium monocristalline de type N12

La plaquette de silicium monocristalline de type N12 de type N adopte un grand format pseudo carré 210 × 210 mm (φ295 mm de diamètre), augmentant la zone active et augmentant la puissance de sortie pour les modules PV à haute efficacité. Cultivé en utilisant la méthode CZ et dopé avec du phosphore, il comporte un<100>Orientation de surface, faible densité de dislocation (inférieure ou égale à 500 cm⁻²) et conductivité de type N. Avec une plage de résistivité de 1,0–7,0 Ω · cm et une durée de vie des porteurs minoritaires supérieure ou égale à 1000 µs, il est idéal pour les technologies avancées de cellules solaires telles que TopCon et HJT. La géométrie optimisée et la qualité de surface optimisées de la plaquette M12 assurent d'excellentes performances dans les modules haute puissance de nouvelle génération.
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Description
Paramètres techniques

CZ silicon crystal growth

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La plaquette de silicium monocristalline de type N12 de type N adopte un grand format pseudo carré 210 × 210 mm (φ295 mm de diamètre), augmentant la zone active et augmentant la puissance de sortie pour les modules PV à haute efficacité. Cultivé en utilisant la méthode CZ et dopé avec du phosphore, il comporte un<100>Orientation de surface, faible densité de dislocation (inférieure ou égale à 500 cm⁻²) et conductivité de type N. Avec une plage de résistivité de 1,0–7,0 Ω · cm et une durée de vie des porteurs minoritaires supérieure ou égale à 1000 µs, il est idéal pour les technologies avancées de cellules solaires telles que TopCon et HJT. La géométrie optimisée et la qualité de surface optimisées de la plaquette M12 assurent d'excellentes performances dans les modules haute puissance de nouvelle génération.

 

 

1. Propriétés des matériaux

 

Propriété

Spécification

Méthode d'inspection

Méthode de croissance

CZ

 

Cristallinité

Monocristallin

Techniques de gravure préférentielles(ASTM F47-88)

Type de conductivité

Type n

Napson EC-80TPN

Dopant

Phosphore

-

Concentration d'oxygène [OI]

Moins ou égal à8E +17 à / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentration de carbone [CS]

Moins ou égal à5E +16 at / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densité de fosse de gravure (densité de dislocation)

Moins ou égal à500 cm-2

Techniques de gravure préférentielles(ASTM F47-88)

Orientation de surface

<100>± 3 degrés

Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987)

Orientation des pseudo-carrés

<010>,<001>± 3 degrés

Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987)

 

2. Propriétés électriques

 

Propriété

Spécification

Méthode d'inspection

Résistivité

1.0-7.0 Ω.cm

Système d'inspection des plaquettes

MCLT (Lifetime de transporteur minoritaire)

Supérieur ou égal à 1000 µs
Sinton bct-400
Transitoire
(Avec niveau d'injection: 5e14 cm-3)

 

3. géométrie

 

Propriété

Spécification

Méthode d'inspection

Géométrie

pseudo carré

 
Forme de bord de biseau
rond  

Longueur latérale de la plaquette

210 ± 0,25 mm

système d'inspection des plaquettes

Diamètre de la tranche

φ295 ± 0,25 mm

système d'inspection des plaquettes

Angle entre les côtés adjacents

90 degrés ± 0,2 degrés

système d'inspection des plaquettes

Épaisseur

180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
système d'inspection des plaquettes

TTV (variation d'épaisseur totale)

Moins ou égal à 27 µm

système d'inspection des plaquettes

 

N-Type M12 Monocrystalline Silicon Wafer Specification1

 

4.Propriétés de surface

 

Propriété

Spécification

Méthode d'inspection

Méthode de coupe

Dwing

--

Qualité de surface

Comme coupé et nettoyé, aucune contamination visible (huile ou graisse, empreintes digitales, teintures de savon, taches de suspension, taches époxy / colle ne sont pas autorisées)

système d'inspection des plaquettes

Marques de scie / étapes

Moins ou égal à 15 µm

système d'inspection des plaquettes

Arc

Moins ou égal à 40 µm

système d'inspection des plaquettes

Chaîne

Moins ou égal à 40 µm

système d'inspection des plaquettes

Ébrécher

profondeur inférieure ou égale à 0,3 mm et longueur inférieure ou égale à 0,5 mm max 2 / PCS; pas de V-puce

Système d'inspection des yeux nus ou des plaquettes

Micro fissures / trous

Pas autorisé

système d'inspection des plaquettes

 

 

 

 

étiquette à chaud: Type N de type N

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