Cellule solaire bifaciale PERT de type N 158,75 mm

Les cellules solaires au silicium mono bifaciales PERT (passivées à l'arrière de l'émetteur totalement diffusé) de type N possèdent des rendements de conversion élevés et stabilisés. Les cellules solaires au silicium de type N sont considérées comme des alternatives prometteuses aux cellules solaires de type p pour la prochaine génération de cellules solaires hautement efficaces grâce à leur capacité à résister à la dégradation induite par la lumière et à leur plus grande tolérance aux impuretés métalliques courantes. La cellule solaire bifaciale PERT de type n peut être fabriquée avec un flux de processus en utilisant un implant ionique pour le dopage unilatéral pour une excellente qualité et uniformité de jonction d'émetteur, un seul thermique recuit, couche de passivation AlOx/SiNx intégrée et grille Ag sérigraphiée à l'avant et à l'arrière.

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【Description du produit】

Les cellules solaires au silicium mono bifaciales PERT (émetteur passif arrière totalement diffusé) de type N possèdent des rendements de conversion élevés et stabilisés.

Les cellules solaires au silicium de type N sont considérées comme des alternatives prometteuses au type pcellules solairespour les cellules solaires hautement efficaces de nouvelle génération grâce à leur capacité à résister à la dégradation induite par la lumière et à leur plus grande tolérance aux impuretés métalliques courantes.

La cellule solaire bifaciale PERT de type n peut être fabriquée avec un flux de processus en utilisant un implant ionique pour un dopage simple face pour une excellente qualité et uniformité de la jonction de l'émetteur, un seul recuit thermique, une couche de passivation AlOx/SiNx intégrée et une grille Ag sérigraphiée à l'avant et à l'arrière .

N pert cross small

【Flux de processus】

Process flow drawn

【Principales caractéristiques】

Efficacité de conversion élevée avec une fiabilité élevée

Pas de dégradation induite par la lumière

Performances de cellule uniformes avec contrôle de processus stable

Les deux côtés peuvent produire de l'électricité

Excellentes performances de production d'énergie sous faible irradiation

Faible risque de point chaud

【Données techniques】

DONNÉES TECHNIQUES ET CONCEPTION		COEFFICIENTS DE TEMPÉRATURE ET SOUDURE
Dimension	158,75 mm * 158,75 mm ± 0,25	TkUoc (%/K)	-0.302
Épaisseur	190±30 μm	TkIsc (%/K)	+0.048
De face	9 barres omnibus	TkPMAX (%/K)	-0.38
Dos	9 barres omnibus	Résistance au pelage minimale	& gt;1.4N/mm

PARAMÈTRES ÉLECTRIQUES au STC
Non.	Efficacité (%)	Pmpp (W)	Uoc (V)	Isc (A)	FF (%)
1	23.00%	5.75	0.700	10.110	81.28
2	22.90%	5.73	0.699	10.098	81.19
3	22.80%	5.70	0.698	10.070	81.13
4	22.70%	5.68	0.697	10.063	81.02
5	22.60%	5.65	0.696	10.045	80.86
6	22.50%	5.63	0.695	10.031	80.78
7	22.40%	5.60	0.694	10.011	80.64
8	22.30%	5.58	0.693	10.000	80.55
9	22.20%	5.55	0.692	9.986	80.40
10	22.10%	5.53	0.691	9.979	80.24
11	22.00%	5.50	0.690	9.961	80.07
12	21.90%	5.48	0.689	9.951	79.96
13	21.80%	5.45	0.688	9.933	79.82
14	21.70%	5.43	0.687	9.914	79.78
15	21.60%	5.40	0.686	9.895	79.62
16	21.50%	5.38	0.685	9.875	79.58
17	21.40%	5.35	0.684	9.856	79.42
18	21.30%	5.33	0.683	9.844	79.34
19	21.20%	5.30	0.682	9.818	79.22
20	21.10%	5.28	0.681	9.800	79.18
21	21.00%	5.25	0.680	9.775	79.08

Factory 01 - DS New Energy.jpg

étiquette à chaud: Cellule solaire bifaciale PERT de type N 158,75 mm, Chine, fournisseurs, fabricants, usine, fabriquée en Chine

Cellule solaire bifaciale PERT de type N 158,75 mm

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