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N Type Mono Bifacial HJT Cellule solaireLa technologie d’hétérojonction de silicium (HJT) est basée sur un émetteur et un champ de surface arrière (BSF) qui sont produits par croissance à basse température de couches ultra-minces de silicium amorphe (a-Si: H) des deux côtés dePlus
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Cellule solaire de type N 210 mm M12 HJTLa cellule solaire M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) de 210 mm a une efficacité de 24,4 % et une puissance nominale de 10,76 W par cellule.Plus
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Cellule solaire de type N 166 mm M6 HJTLa technologie d'hétérojonction de silicium (HJT) est basée sur un émetteur et un champ de surface arrière (BSF) qui sont produits par la croissance à basse température de couches ultra-minces de silicium amorphe (a-Si:H) des deux côtés dePlus
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Cellule solaire bifaciale TOPCon de type N 210 mm M12La technologie TOPCON (tunnel oxyde passivé contact) augmente l'efficacité de la cellule solaire de type N jusqu'à 25 %. La cellule solaire TOPCon industrielle de 210 mm a une efficacité maximale de 24,4 % et une puissance nominale dePlus
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Cellule solaire bifaciale TOPCon de type N 182 mm M10La technologie TOPCON (tunnel oxyde passivé contact) augmente l'efficacité des cellules solaires de type N jusqu'à 24,5%. La cellule solaire monocristalline de type N TOPCon de 182 mm a une puissance nominale de 8,08 watts à 24,5%Plus
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Cellule solaire bifaciale TOPCon de type N 166 mm M6Mise à niveau de la technologie PERT, la technologie TOPCON (contact passivé à l'oxyde de tunnel) combinée à la couche de passivation AlOx/SiNx augmente l'efficacité des cellules solaires de type N de 166 mm jusqu'à 24,4%. La cellulePlus
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Cellule solaire PERT bifaciale pseudo-carrée de type NLes cellules solaires en silicium PERT bifaciales mono de type N (émetteur passivé à l'arrière totalement diffusé) possèdent des rendements de conversion élevés et stabilisés. et uniformité, un seul recuit thermique, une couche dePlus
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Cellule solaire bifaciale PERT de type N 158,75 mmLes cellules solaires au silicium mono bifaciales PERT (passivées à l'arrière de l'émetteur totalement diffusé) de type N possèdent des rendements de conversion élevés et stabilisés. Les cellules solaires au silicium de type N sontPlus
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Cellule solaire IBC de type NDans la structure cellulaire à contact arrière interdigité (IBC), l'émetteur et le contact se trouvent tous deux à l'arrière de la plaquette, ce qui permet une optimisation indépendante de la surface avant pour les propriétés optiques etPlus
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Cellule solaire PERT mono-bifaciale de type NLes cellules solaires en silicium mono-facial pert (émetteur passivé arrière totalement diffus) de type N possèdent des rendements de conversion élevés et stabilisés.Les cellules solaires en silicium de type N sont considérées comme desPlus
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