Plaquette SiC 4H P-Type

Plaquette SiC 4H P-Type

Les substrats SiC de type P-sont conçus pour la croissance homoépitaxiale et le développement de dispositifs semi-conducteurs de puissance à ultra-haute tension-. Avec d'excellentes caractéristiques électriques et thermiques, ce substrat SiC haute-performance convient aux applications exigeantes à haute-puissance, y compris la transmission d'énergie à ultra-haute-tension et les infrastructures de réseaux intelligents. Ces plaquettes SiC de type P- prennent également en charge les applications dans le transport ferroviaire, les systèmes électriques industriels et d'autres équipements électriques à haute-puissance où une capacité de haute-tension, une fiabilité et une conversion de puissance efficace sont requises.
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Description
Paramètres techniques

 

Présentation des produits

 

 

Les substrats SiC de type P-sont conçus pour la croissance homoépitaxiale et le développement de dispositifs semi-conducteurs de puissance à ultra-haute tension-. Doté d'excellentes caractéristiques électriques et thermiques, ce produit à haute-performanceSubstrat SiCest adapté aux applications exigeantes à haute-puissance, notamment le transport d'énergie à ultra-haute-tension et l'infrastructure de réseau intelligent.

 

Ces types P-plaquettes SiCprennent également en charge les applications dans le transport ferroviaire, les systèmes électriques industriels et d'autres équipements électriques-haute puissance où une capacité haute-tension, une fiabilité et une conversion de puissance efficace sont requises.

 

 

Caractéristiques

 

 

 

product-1-1

 

6 pouces
Diamètre 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm
Orientation des surfaces 4 degrés vers<1120>±0,5 degré
Longueur à plat primaire 47,5 mm ± 1,5 mm
Orientation plate principale <1120>±5,0 degrés
Orientation de l'encoche /
Angle d'encoche /
Profondeur d'encoche /
Épaisseur 350,0 um ± 25,0 um
Polytype 4H
Taper p-type

 

 

 

 

 

8 pouces
Diamètre 200,0 mm+0 mm/-0,2 mm
Orientation des surfaces 4 degrés vers<1120>±0,5 degré
Longueur à plat primaire Entailler
Orientation plate principale /
Orientation de l'encoche <1100>±1,0 degré
Angle d'encoche 90 degrés +5 degrés/-1 degrés
Profondeur d'encoche 1,0 mm+0.25 mm/-0 mm
Épaisseur 350,0 um ± 25,0 um
Polytype 4H
Taper p-type

 

product-1-1

 

 

 

product-1-1
12 pouces
Diamètre 300,0 mm ± 0,5 mm
Orientation des surfaces 4 degrés vers<1120>±0,5 degré
Longueur à plat primaire Entailler
Orientation plate principale /
Orientation de l'encoche <1100>±5,0 degrés
Angle d'encoche 90 degrés +5 degrés/-1 degrés
Profondeur d'encoche 1,0 mm+0.25 mm/-0 mm
Épaisseur 750,0 um ± 25,0 um
Polytype 4H
Taper p-type

 

 

Certificat

 

 

 

1







 

étiquette à chaud: Plaquette SiC de type 4H P-, Chine, fournisseurs, fabricants, usine, fabriquée en Chine

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