N Type Full Square Plaquette solaire monocristalline

N Type Full Square Plaquette solaire monocristalline

Dans l’industrie solaire photovoltaïque, la transition de la technologie des plaquettes vient d’un passage du pseudo carré 156.75x156.75mm M2 à des tailles de plaquettes plus grandes à 158.75x158.75mm carré et cela inclut les plaquettes mono-Si de type p et de type n. Les wafers mono carrés pleins à la pointe de la technologie ont maximisé l’exposition à la lumière au même niveau de plaquettes multiples en élargissant la mesure carrée. Les plaquettes sont toujours entièrement carrées afin qu’elles s’adaptent au module PV de manière optimale.
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Description
Paramètres techniques

CZ silicon crystal growth


158.75mm full square monocrystalline solar wafer


Dans l’industrie solaire photovoltaïque, la transition technologique des plaquettes vient d’un changement de pseudo carré156.75x156.75mm M2 à des tailles de plaquettes plus grandes à carré complet 158.75x158.75mm et cela inclut les plaquettes mono-Si de type p et de type n.

Les wafers mono carrés pleins à la pointe de la technologie ont maximisé l’exposition à la lumière au même niveau de plaquettes multiples en élargissant la mesure carrée. Les plaquettes sont toujours entièrement carrées afin qu’elles s’adaptent au module PV de manière optimale. 

 

1      Propriétés des matériaux

 

propriété

spécification

Méthode d’inspection

Méthode de croissance

Cz


cristallinité

Monocristallin

Techniques de gravure préférentiellesASTM F47-88

Type de conductivité

Type N

Napson EC-80TPN

Dopant

phosphore

-

Concentration en oxygène[Oi]

8E+17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentration en carbone[Cs]

5E+16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densité de la fosse de gravure (densité de dislocation)

500 cm-3

Techniques de gravure préférentiellesASTM F47-88

Orientation de la surface

<100>±3°

Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987)

Orientation des côtés pseudo carrés

<010>,<001>±3°

Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987)

 

2      Propriétés électriques

 

propriété

spécification

Méthode d’inspection

résistivité

0,3-2,1 Ω.cm

1,0-7,0 Ω,cm

Système d’inspection de plaquettes

MCLT (durée de vie des transporteurs minoritaires)

≧1000 μs(Résistivité 0,3-2,1 Ω.cm)
≧500 μs(résistivité1,0-7,0 Ω.cm)

Sinton transitoire

 

3      géométrie

 


propriété

spécification

Méthode d’inspection

géométrie

Carré complet


Longueur latérale de la plaquette

158,75 ±0,25 mm

système d’inspection de plaquettes

Diamètre de la plaquette

φ223±0,25 mm

système d’inspection de plaquettes

Angle entre les côtés adjacents

90° ± 0,2°

système d’inspection de plaquettes

épaisseur

18020/10 μm;

17020/10 μm

système d’inspection de plaquettes

TTV (Variation totale de l’épaisseur)

27 μm

système d’inspection de plaquettes



 image



4      Propriétés de surface

 

propriété

spécification

Méthode d’inspection

Méthode de coupe

Dw

--

Qualité de surface

comme coupé et nettoyé, aucune contamination visible, (huile ou graisse, empreintes de doigts, taches de savon, taches de lisier, taches d’époxy / colle ne sont pas autorisées)

système d’inspection de plaquettes

Marques de scie / marches

≤ 15μm

système d’inspection de plaquettes

arc

≤ 40 μm

système d’inspection de plaquettes

chaîne

≤ 40 μm

système d’inspection de plaquettes

puce

profondeur ≤0.3mm et longueur ≤ 0.5mm Max 2 / pcs;   pas de puce antiviolence

Système d’inspection à l’œil nu ou à la plaquette

Microfisses / trous

Non autorisé

système d’inspection de plaquettes




étiquette à chaud: n type plaquette solaire monocristalline carrée complète, Chine, fournisseurs, fabricants, usine, fabriquée en Chine

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