La tranche de silicium monocristalline G1 de type N dispose d'une conception complète de 158,75 × 158,75 mm, maximisant l'exposition à la lumière et l'efficacité du module. Fabriqué à l'aide de la méthode CZ avec dopage au phosphore, il offre une excellente qualité de matériau, une faible densité de dislocation (moins ou égale à 500 cm⁻²) et<100>orientation cristalline. Avec la conductivité de type N, une plage de résistivité de 0,5 à 7 Ω · cm et une durée de vie porteuse jusqu'à supérieure ou égal à 1000 µs, il est bien adapté aux technologies cellulaires à haute efficacité comme TopCon et HJT. Sa forme carrée pleine et ses tolérances géométriques serrées garantissent une intégration et des performances optimales du module.
1. Propriétés des matériaux
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Propriété |
Spécification |
Méthode d'inspection |
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Méthode de croissance |
CZ |
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Cristallinité |
Monocristallin |
Techniques de gravure préférentielles(ASTM F47-88) |
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Type de conductivité |
Type n |
Napson EC-80TPN |
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Dopant |
Phosphore |
- |
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Concentration d'oxygène [OI] |
Moins ou égal à8E +17 à / cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
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Concentration de carbone [CS] |
Moins ou égal à5E +16 at / cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
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Densité de fosse de gravure (densité de dislocation) |
Moins ou égal à500 cm-2 |
Techniques de gravure préférentielles(ASTM F47-88) |
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Orientation de surface |
<100>± 3 degrés |
Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987) |
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Orientation des côtés pseudo-carrés |
<010>,<001>± 3 degrés |
Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987) |
2. Propriétés électriques
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Propriété |
Spécification |
Méthode d'inspection |
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Résistivité |
1.0-7.0 Ω.cm
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Système d'inspection des plaquettes |
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MCLT (Lifetime de transporteur minoritaire) |
Supérieur ou égal à 1000 µs (résistivité ＞ 1,0 ohm.cm)
Supérieur ou égal à 500 µs (résistivité ＜ 1,0 ohm.cm)
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Sinton bct-400 QSSPC / Transient
(avec niveau d'injection: 1e15 cm -3)
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3. géométrie
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Propriété |
Spécification |
Méthode d'inspection |
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Géométrie |
pseudo carré |
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Forme de bord de biseau
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rond | |
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Longueur latérale de la plaquette |
182 ± 0,25 mm
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système d'inspection des plaquettes |
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Diamètre de la tranche |
φ247 ± 0,25 mm |
système d'inspection des plaquettes |
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Angle entre les côtés adjacents |
90 degrés ± 0,2 degrés |
système d'inspection des plaquettes |
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Épaisseur |
180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
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système d'inspection des plaquettes |
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TTV (variation d'épaisseur totale) |
Moins ou égal à 27 µm |
système d'inspection des plaquettes |
4.Propriétés de surface
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Propriété |
Spécification |
Méthode d'inspection |
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Méthode de coupe |
Dwing |
-- |
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Qualité de surface |
Comme coupé et nettoyé, aucune contamination visible (huile ou graisse, empreintes digitales, teintures de savon, taches de suspension, taches époxy / colle ne sont pas autorisées) |
système d'inspection des plaquettes |
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Marques de scie / étapes |
Moins ou égal à 15 µm |
système d'inspection des plaquettes |
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Arc |
Moins ou égal à 40 µm |
système d'inspection des plaquettes |
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Chaîne |
Moins ou égal à 40 µm |
système d'inspection des plaquettes |
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Ébrécher |
profondeur inférieure ou égale à 0,3 mm et longueur inférieure ou égale à 0,5 mm max 2 / PCS; pas de V-puce |
Système d'inspection des yeux nus ou des plaquettes |
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Micro fissures / trous |
Pas autorisé |
système d'inspection des plaquettes |
étiquette à chaud: N-Type G1 G1 Spécification de la plaquette de silicium monocristalline, Chine, fournisseurs, fabricants, usine, fabriquée en Chine
