La plaquette de silicium monocristalline M2 de type N est dotée d'une conception quasi-carré 156,75 × 156,75 mm avec des coins arrondis, équilibrant la compatibilité avec des dispositions de modules standard et une capture de lumière optimisée. Produit à l'aide de la méthode CZ et du dopage du phosphore, il offre une pureté matériale élevée,<100>orientation et faible densité de dislocation (inférieure ou égale à 500 cm⁻²). Avec la conductivité de type N, une large plage de résistivité (0,2–12 Ω · cm) et une durée de vie porteuse à grande minorité (supérieure à 1000 µs), il prend en charge les technologies cellulaires à haute efficacité telles que TopCon et HJT. La plaquette M2 reste un format éprouvé et fiable pour des performances stables dans les applications PV traditionnelles.
1. Propriétés des matériaux
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Propriété |
Spécification |
Méthode d'inspection |
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Méthode de croissance |
CZ |
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Cristallinité |
Monocristallin |
Techniques de gravure préférentielles(ASTM F47-88) |
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Type de conductivité |
Type n |
Napson EC-80TPN |
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Dopant |
Phosphore |
- |
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Concentration d'oxygène [OI] |
Moins ou égal à8E +17 à / cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
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Concentration de carbone [CS] |
Moins ou égal à5E +16 at / cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
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Densité de fosse de gravure (densité de dislocation) |
Moins ou égal à500 cm-2 |
Techniques de gravure préférentielles(ASTM F47-88) |
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Orientation de surface |
<100>± 3 degrés |
Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987) |
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Orientation des côtés pseudo-carrés |
<010>,<001>± 3 degrés |
Méthode de diffraction des rayons X (ASTM F26-1987) |
2. Propriétés électriques
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Propriété |
Spécification |
Méthode d'inspection |
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Résistivité |
0,2-2,0 Ω.cm 0,5-3,5 Ω.cm
1.0-7.0 Ω.cm
1,5-12 Ω.cm
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Résistivité 4-sondes
mesure
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MCLT (Lifetime de transporteur minoritaire) |
Supérieur ou égal à 1000 µs (résistivité ＞ 1,0 Ω.cm) Supérieur ou égal à 500 µs (résistivité ＜ 1,0 Ω.cm
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Sinton BCT-400 Transitoire
(Avec niveau d'injection: 5e14 cm-3)
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3. géométrie
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Propriété |
Spécification |
Méthode d'inspection |
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Géométrie |
quasi carré
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Étrier Vernier
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Diamètre
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210 ± 0,25 mm
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Étrier Vernier |
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Plat à plat
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156,75 ± 0,25 mm
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Étrier Vernier
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Longueur du coin
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8,5 ± 0,5 mm
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Carré / souverain
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Angularité
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90 degrés ± 0,2 degrés |
Règle d'angle
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Forme du coin
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Forme ronde
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Inspection visuelle
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Perpendiculaire
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Moins ou égal à 0,8 mm
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TTV (variation d'épaisseur totale) |
Moins ou égal à 27 µm |
système d'inspection des plaquettes |
4.Propriétés de surface
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Propriété |
Spécification |
Méthode d'inspection |
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Qualit de surface
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Tacher, huile, gratter, fissurer, fosse, bosse,
Pinhole et Twin Defet ne sont pas
autorisé
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Inspection visuelle
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Ébrécher
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La puce de surface n'est pas autorisée;
Arris: les puces sont inconsnuées:
Moins de 10 sur l'Arris, dia inférieur ou égal à 0,3 mm;
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Règle
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Roughne de surface
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Surface plane: PR inférieure ou égale à 0,6UM;
Surface cambre: ra inférieure ou égale à 1,0UM
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Mémoire de rugosité de surface
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étiquette à chaud: N-Type M2 Spécification de la plaquette de silicium monocristalline, Chine, fournisseurs, fabricants, usine, fabriquée en Chine
